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BSS123_R1_00001

BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

BSS123.pdf
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details BSS123_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit bss123190725rev.01.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3097 Stücke:
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BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit Semiconductor BSS123.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
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385+0.23 EUR
463+0.18 EUR
841+0.1 EUR
1359+0.063 EUR
1634+0.052 EUR
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BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Panjit 3CB327D75B3A82961AD221F5E0FB3B204D1D7D2014301FAE7C5734A28867A66C.pdf MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
auf Bestellung 2988 Stücke:
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16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
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BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 Panjit International Inc. BSS123.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
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BSS123_R1_00001 BSS123_R1_00001 PanJit bss123190725rev.01.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123_R1_00001
Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123_R1_00001
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 1.8nC
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MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
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Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 2347 Stücke
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