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BSS123IXTSA1

BSS123IXTSA1 Infineon Technologies

infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS123IXTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.096 EUR
6000+0.086 EUR
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
569+0.15 EUR
779+0.11 EUR
881+0.096 EUR
1134+0.075 EUR
1266+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
711+0.25 EUR
1192+0.14 EUR
1608+0.1 EUR
1880+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies infineonbss123idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+0.25 EUR
1195+0.14 EUR
1613+0.1 EUR
1884+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 14564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
117+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS123I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
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11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON 3208404.pdf Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 73583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9837+0.067 EUR
11030+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 9837 Stücke
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.079 EUR
6000+0.067 EUR
9000+0.048 EUR
24000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.079 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.05 EUR
24000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.051 EUR
24000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 264000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.08 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.049 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.096 EUR
6000+0.086 EUR
9000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2789 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
569+0.15 EUR
779+0.11 EUR
881+0.096 EUR
1134+0.075 EUR
1266+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 infineonbss123idatasheetv0200en.pdf
BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
711+0.25 EUR
1192+0.14 EUR
1608+0.1 EUR
1880+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 711 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
713+0.25 EUR
1195+0.14 EUR
1613+0.1 EUR
1884+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
auf Bestellung 14564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
117+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS123IXTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
auf Bestellung 32366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.54 EUR
11+0.33 EUR
100+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 3208404.pdf
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123IXTSA1 3208404.pdf
BSS123IXTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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