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BSS123L

BSS123L ON Semiconductor

bss123l-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
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Technische Details BSS123L ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS123L BSS123L Hersteller : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123L BSS123L Hersteller : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
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3000+0.053 EUR
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30000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123L BSS123L Hersteller : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123L BSS123L Hersteller : ON Semiconductor bss123l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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953+0.15 EUR
1437+0.096 EUR
1452+0.091 EUR
2223+0.057 EUR
2445+0.05 EUR
3000+0.045 EUR
6000+0.04 EUR
15000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 953
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BSS123L BSS123L Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7693 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
556+0.13 EUR
754+0.095 EUR
855+0.084 EUR
1397+0.051 EUR
1480+0.048 EUR
3000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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BSS123L BSS123L Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFF5CD04746BB1BF&compId=BSS123L-DTE.pdf?ci_sign=8ed27bc96459eaec35a984b9465205e2fecb1beb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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556+0.13 EUR
754+0.095 EUR
855+0.084 EUR
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BSS123L BSS123L Hersteller : onsemi / Fairchild BSS123L_Oct2014.pdf MOSFETs FET 100V 60 MOHM SOT23
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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17+0.17 EUR
100+0.095 EUR
1000+0.093 EUR
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BSS123L BSS123L Hersteller : onsemi BSS123L_Oct2014.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
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BSS123L BSS123L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSS123L BSS123L Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013933547-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123L BSS123L Hersteller : ON Semiconductor 1055246512757722bss123l.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123L BSS123L Hersteller : ONSEMI 2298165.pdf Description: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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