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BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Produktcode: 42430
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 1778 Stück:
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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3000+0.086 EUR
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15000+0.063 EUR
75000+0.056 EUR
150000+0.052 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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1640+0.085 EUR
1659+0.081 EUR
2584+0.05 EUR
2681+0.046 EUR
2740+0.043 EUR
2794+0.041 EUR
3000+0.04 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 20652 Stücke:
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338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D88C8D2E08DC469&compId=BSS123LT1G.PDF?ci_sign=b55620e6b77cef6fe7c68cb8bb58db635295da56 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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218+0.33 EUR
338+0.21 EUR
525+0.14 EUR
631+0.11 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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411+0.35 EUR
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1593+0.081 EUR
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6000+0.043 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 411
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
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13+0.22 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 181217 Stücke:
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69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 155535 Stücke:
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 155535 Stücke:
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 690000 Stücke:
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Produktcode: 26603
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ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x6mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
verfügbar: 1062 Stück
20 Stück - stock Köln
1042 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.27 EUR
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KX-3HT 8.0 MHz (20pF, 30PPM) (Quarz Resonator)
Produktcode: 27906
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KX-3H.pdf
KX-3HT 8.0 MHz (20pF, 30PPM) (Quarz Resonator)
Hersteller: Geyer/Strong
Quarz- und keramische > Quarz- und keramische Resonatoren und Generatoren
Frequenz: 8 MHz
Gehäuse: HC-49/S-Kahn (ATS-49/U)
Typ: Quarz Resonator
30 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
№ 7: 8541600000
auf Bestellung 1618 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.11 EUR
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4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1730
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RC_series.pdf
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 4,99 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 9275 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.0034 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF ll4148.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 82695 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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