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BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Produktcode: 42430
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 1122 Stück:
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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3000+0.087 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.074 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.066 EUR
30000+0.063 EUR
75000+0.056 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
1087+0.13 EUR
1421+0.094 EUR
1570+0.082 EUR
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 1087
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3522 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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652+0.22 EUR
1177+0.12 EUR
1190+0.11 EUR
1842+0.07 EUR
1863+0.067 EUR
2376+0.05 EUR
2625+0.043 EUR
3000+0.041 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
264+0.27 EUR
365+0.2 EUR
524+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 264
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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264+0.27 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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2128+0.058 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi 9AC59B6D0D252CC1EA84010CFDFEB7C9C4AA9DA9E0446D2985422C008A77FCE7.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
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7+0.41 EUR
13+0.23 EUR
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500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
3000+0.081 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 489817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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42+0.42 EUR
69+0.26 EUR
110+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 690000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 11700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 13430 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BSS84P
Produktcode: 122858
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BSS84P
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
/: SMD
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Produktcode: 26603
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ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x6mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
verfügbar: 100 Stück
18 Stück - stock Köln
82 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.27 EUR
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CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Produktcode: 41283
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CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 47 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, А: 3.25A
№ 7: 8504 50 20 90
verfügbar: 3091 Stück
12 Stück - stock Köln
3079 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 77154
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1,5 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Cinetech
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 1,5 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
verfügbar: 13500 Stück
1000 Stück - stock Köln
12500 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.42 EUR
100+0.036 EUR
1000+0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Produktcode: 105466
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komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 20 kOhm
Resistenz: +/-1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 42330 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH