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BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Produktcode: 42430
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1545000 Stücke:
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6000+0.05 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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1050+0.13 EUR
1071+0.12 EUR
1659+0.077 EUR
1695+0.072 EUR
2248+0.052 EUR
3425+0.033 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
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278+0.26 EUR
834+0.086 EUR
989+0.072 EUR
1087+0.066 EUR
1263+0.057 EUR
1409+0.051 EUR
1603+0.045 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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40+0.44 EUR
65+0.27 EUR
104+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 108497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 108497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor BSS123LT1-D_ONS.PDF N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 0,2, Ptot, Вт = 0,2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25, Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : On Semiconductor BSS123.pdf N-кан. MOSFET SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BSS84P
Produktcode: 122858
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BSS84P
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
/: SMD
auf Bestellung 732 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Produktcode: 105466
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komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 20 kOhm
Resistenz: +/-1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 24130 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Produktcode: 26603
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ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x6mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
verfügbar: 100 St.
18 St. - stock Köln
82 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Produktcode: 41283
4 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 47 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, А: 3.25A
№ 7: 8504 50 20 90
verfügbar: 114 St.
12 St. - stock Köln
102 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
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cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 97886 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.2 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH