Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSS123LT1G ON
BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

bss123lt1-d.pdf
Produktcode: 42430
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
verfügbar 382 St.:
115 St. - stock Köln
267 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.034 EUR
100+0.025 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSS123LT1G nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2478000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.055 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
75000+0.04 EUR
150000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2478000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.055 EUR
6000+0.051 EUR
9000+0.049 EUR
15000+0.046 EUR
21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
75000+0.04 EUR
150000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.056 EUR
6000+0.052 EUR
12000+0.048 EUR
27000+0.046 EUR
51000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1635000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 518533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.086 EUR
6000+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1635000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1188+0.12 EUR
1200+0.11 EUR
1938+0.066 EUR
1954+0.063 EUR
2470+0.048 EUR
3413+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1188
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1087+0.13 EUR
1389+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 1087
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 12036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
209+0.34 EUR
618+0.12 EUR
736+0.097 EUR
807+0.089 EUR
940+0.076 EUR
1051+0.068 EUR
1194+0.06 EUR
3000+0.051 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 209
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
384+0.37 EUR
667+0.21 EUR
671+0.2 EUR
1087+0.12 EUR
1098+0.11 EUR
1389+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 384
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf MOSFETs 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 153900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.42 EUR
11+0.26 EUR
100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 518572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+0.44 EUR
65+0.27 EUR
104+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 111257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 111257 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 7130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G Hersteller : ON-Semiconductor bss123lt1-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

BSS84P
Produktcode: 122858
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

BSS84P
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Id,A: 0,17 A
Rds(on),Om: 8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 15/1
/: SMD
auf Bestellung 682 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Produktcode: 105466
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Hersteller: 20 kOhm
Resistenz: +/-1% F
Präzision: 0,1
P Nenn.,W: 50V
U Betriebs.,V: 0603
auf Bestellung 24530 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Produktcode: 26603
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

ERS.pdf
100uF 6,3V ERS 6,3x6mm (ERS101M0JB)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische der ERS Serie Polymer, Aluminium
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 6,3V
Reihe: ERS-Polymer
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: 6,3x6mm
Макс.пульс.струм: 1810 mA
ESR: 40 mOhm
verfügbar: 100 St.
18 St. - stock Köln
82 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
10+0.37 EUR
100+0.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Produktcode: 41283
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-470MC (47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida
Hersteller: Sumida
Drosseln > Induktivität (Drosseln) leistungs SMD
Nennwert: 47 uH
Genauigkeit: ±20%
Beschreibung und Eigenschaften: Leistungs-, Draht auf gepanzerten Ferritkern, 47uH, ±20%, Idc=3.25А, Rdc max/typ=78/60 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Typ: Leistungs- SMD Ferritkern gepanzert
Abmessungen: 12,3x12,3mm, h=8,0mm
Робочий струм, А: 3.25A
№ 7: 8504 50 20 90
verfügbar: 2837 St.
12 St. - stock Köln
2825 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.39 EUR
100+0.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0603
№ 7: 8532 24 00 00
auf Bestellung 10758 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100000 St.:
100000 St. - erwartet 21.05.2026
Anzahl Preis
10+0.2 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.0069 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH