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BSS123LT1G

BSS123LT1G ON


bss123lt1-d.pdf
Produktcode: 42430
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 0.17
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
JHGF: SMD
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1149000 Stücke:
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9000+ 0.05 EUR
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99000+ 0.04 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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800+0.089 EUR
885+ 0.081 EUR
1115+ 0.064 EUR
1175+ 0.061 EUR
12000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800
BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
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Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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6000+ 0.13 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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463+ 0.33 EUR
1093+ 0.13 EUR
1590+ 0.089 EUR
3000+ 0.046 EUR
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi bss123lt1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : onsemi BSS123LT1_D-2310311.pdf MOSFET 100V 170mA N-Channel
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS123LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss123lt1-d.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
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100+ 0.087 EUR
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BSS123LT1G Hersteller : ONS bss123lt1-d.pdf Транз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm
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10+ 0.68 EUR
BSS123LT1G bss123lt1-d.pdf n-канальний польовий транзистор SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
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BSS123LT1G Hersteller : ON-Semicoductor bss123lt1-d.pdf N-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
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NX2500-03SMS
Produktcode: 63279
A2501WV-XP.pdf
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 3; THT; 250В; 3А
Stecker/Buchse: Гніздо
Anzahl Kontakte: 3
2,5 mm
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: на плату
auf Bestellung 393 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 387
RC0603HIT.pdf
10 kOhm 1% 0,25W 200V 1206 (RC1206FR-10KR) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 200V
Größe Typ: 1206
auf Bestellung 553 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 80000 Stück:
40000 Stück - erwartet 20.05.2024
40000 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.0048 EUR
100+ 0.004 EUR
1000+ 0.0034 EUR
Mindestbestellmenge: 10
LL4148
Produktcode: 2413
FAIR-S-A0002364043-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ll4148.pdf LL4148.pdf LL4148.pdf
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 72797 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
DRB-9MA (DPRS2-09M-1200) (D-SUB Stecker auf Platte)
Produktcode: 3519
DRB-9MA (DPRS2-09M-1200) (D-SUB Stecker auf Platte)
Hersteller: Vensik
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Interface (außer USB, SATA)
Beschreibung: D-SUB Stifte auf Platte eckig (komp.-Interface) 2-х Reihen, 9 Kontakte
Stecker oder Steckdose: Stecker
Anzahl, Kontakte: 9
Серія: DRB
Механічний монтаж: На плату
Орієнтація в просторі: Кутовий
verfügbar: 188 Stück
erwartet: 2 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.35 EUR