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BSS123LT1G

BSS123LT1G ON

BSS123LT1-D.PDF
Produktcode: 42430
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 0,17 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 20/
Montage: SMD
verfügbar: 115 St.
  • 115 St. - stock Köln
auf Bestellung: 901 St.
  • 901 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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11+0.12 EUR
13+0.098 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G ON-Semiconductor TBSS123_0124.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 2255231.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF MOSFETs 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 173475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
14+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi BSS123LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
87+0.24 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 78673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
752+0.31 EUR
870+0.25 EUR
1173+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI 3760328.pdf Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 78673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.76 EUR
752+0.31 EUR
870+0.25 EUR
1173+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1G ONSEMI BSS123LT1G.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G TBSS123_0124.pdf
BSS123LT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 170mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS123; BSS123L6327; BSS123LT1G; BSS123-7-F; BSS123TA; BSS123NH6327XTSA1; BSS123-13-F; BSS123L; BSS123-FAI; BSS123LT1G; BSS123 SMD; BSS123LT1G TBSS123
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G 2255231.pdf
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs 100V 170mA N-Channel
auf Bestellung 173475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.56 EUR
14+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
BSS123LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
87+0.24 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 78673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+0.76 EUR
752+0.31 EUR
870+0.25 EUR
1173+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G 3760328.pdf
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 78673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.76 EUR
752+0.31 EUR
870+0.25 EUR
1173+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1G.PDF
BSS123LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123LT1G BSS123LT1-D.PDF
MOSFET 100V 0.17A (0.68A pulse), N Channel SOT-23-3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

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BSS84P
Produktcode: 122858
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BSS84P
Hersteller: Infineon
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Id, A: 0,17 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/1
Montage: SMD
auf Bestellung: 497 St.
  • 497 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.14 EUR
11+0.11 EUR
100+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 9 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 42147
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
100nF 50V X7R 10% 0603 (CL10B104KB8NNNC-Samsung) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0603
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Toleranz: ±10% K
Baugröße: 0603
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung: 42282 St.
  • 42282 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.24 EUR
100+0.027 EUR
1000+0.019 EUR
10000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Produktcode: 105466
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
komechip-eesistor-datasheet.pdf
20 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC03K52002FT-LF-Kome)
Hersteller: KOME
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 20 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
auf Bestellung: 15905 St.
  • 15905 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
400+0.0039 EUR
1000+0.0031 EUR
10000+0.0018 EUR
Mindestbestellmenge: 400 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1uF 50V Y5V -20 + 80% 1206 (CL31F105ZBFNNNE-Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Produktcode: 114807
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
cl_series_mlcc_datasheet.pdf
1uF 50V Y5V -20 + 80% 1206 (CL31F105ZBFNNNE-Samsung) (Keramikkondensatoren SMD)
Hersteller: Samsung
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1 мкФ
Nennspannung: 50 В
Dielektrikum: Y5V
Präzision: -20/+80% Z
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 2643 St.
  • 2643 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+0.07 EUR
100+0.063 EUR
1000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 20 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 1730
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RC_series.pdf
4,99 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-4K99-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 4,99 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 01.11.2026
AnzahlPrivatkunde
110+0.012 EUR
200+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 110 St.
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