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BSS123NH6327XTSA1

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
Produktcode: 198093
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
6000+0.089 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
447+0.19 EUR
496+0.17 EUR
729+0.12 EUR
916+0.093 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+0.24 EUR
972+0.17 EUR
1224+0.13 EUR
1427+0.11 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
713+0.24 EUR
972+0.18 EUR
1224+0.13 EUR
1427+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 203610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
14+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
83+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.84 EUR
596+0.39 EUR
764+0.29 EUR
1177+0.18 EUR
7500+0.13 EUR
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.84 EUR
596+0.39 EUR
764+0.29 EUR
1177+0.18 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.089 EUR
9000+0.074 EUR
24000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.092 EUR
9000+0.076 EUR
24000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
447+0.19 EUR
496+0.17 EUR
729+0.12 EUR
916+0.093 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
713+0.24 EUR
972+0.17 EUR
1224+0.13 EUR
1427+0.11 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
713+0.24 EUR
972+0.18 EUR
1224+0.13 EUR
1427+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 713 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 203610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
14+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70006 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
83+0.25 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.84 EUR
596+0.39 EUR
764+0.29 EUR
1177+0.18 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
298+0.84 EUR
596+0.39 EUR
764+0.29 EUR
1177+0.18 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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