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BSS123NH6327XTSA1

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
Produktcode: 198093
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.074 EUR
24000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 228000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 37450 Stücke:
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1158+0.15 EUR
1462+0.11 EUR
1480+0.11 EUR
1493+0.1 EUR
3000+0.067 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 37450 Stücke:
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1161+0.15 EUR
1467+0.12 EUR
1482+0.11 EUR
1495+0.11 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1161 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
447+0.19 EUR
496+0.17 EUR
729+0.12 EUR
916+0.093 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 11441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.36 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
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3000+0.13 EUR
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
614+0.38 EUR
794+0.27 EUR
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
614+0.38 EUR
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.074 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.077 EUR
24000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 37450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1158+0.15 EUR
1462+0.11 EUR
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1493+0.1 EUR
3000+0.067 EUR
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Mindestbestellmenge: 1158 Stücke
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 37450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1161+0.15 EUR
1467+0.12 EUR
1482+0.11 EUR
1495+0.11 EUR
3000+0.071 EUR
6000+0.068 EUR
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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 13684 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
447+0.19 EUR
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BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 11441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.67 EUR
10+0.36 EUR
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1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 190mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.81 EUR
614+0.38 EUR
794+0.27 EUR
1249+0.17 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
308+0.81 EUR
614+0.38 EUR
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1249+0.17 EUR
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