Weitere Produktangebote BSS123NH6433XTMA1 nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 70000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 39268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 6493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 31786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 78195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BSS123NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon |
|
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |