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BSS123NH6433XTMA1

Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
Produktcode: 190235
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.075 EUR
20000+0.068 EUR
30000+0.062 EUR
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BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.27 EUR
414+0.2 EUR
592+0.14 EUR
698+0.12 EUR
860+0.099 EUR
981+0.087 EUR
1060+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
644+0.27 EUR
1053+0.15 EUR
1255+0.13 EUR
1537+0.1 EUR
2000+0.092 EUR
5000+0.076 EUR
10000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.27 EUR
1055+0.17 EUR
1258+0.13 EUR
1541+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
5000+0.083 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 61304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DataSheet-v02_03-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 31286 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 15806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
730+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1575+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 15806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+0.71 EUR
730+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1575+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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BSS123NH6433XTMA1 Infineon Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
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BSS123NH6433XTMA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.075 EUR
20000+0.069 EUR
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50000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.075 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
313+0.27 EUR
414+0.2 EUR
592+0.14 EUR
698+0.12 EUR
860+0.099 EUR
981+0.087 EUR
1060+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
644+0.27 EUR
1053+0.15 EUR
1255+0.13 EUR
1537+0.1 EUR
2000+0.092 EUR
5000+0.076 EUR
10000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 644 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 bss123n_rev2.3.pdf
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
646+0.27 EUR
1055+0.17 EUR
1258+0.13 EUR
1541+0.11 EUR
2000+0.099 EUR
5000+0.083 EUR
10000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 61304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DataSheet-v02_03-en.pdf
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
auf Bestellung 31286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.69 EUR
10+0.4 EUR
100+0.27 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 15806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
730+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1575+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6433XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
auf Bestellung 15806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
350+0.71 EUR
730+0.32 EUR
918+0.24 EUR
1575+0.13 EUR
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Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH