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BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated


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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
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Technische Details BSS123WQ-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F DIODES INC. 4553112.pdf Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: DIODES INC.
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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