BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote BSS131H6327XTSA1 nach Preis ab 0.062 EUR bis 0.62 EUR
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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| BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD. |
BSS131H6327XTSA1 |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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