BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| 6000+ | 0.11 EUR |
| 15000+ | 0.1 EUR |
| 21000+ | 0.096 EUR |
| 30000+ | 0.092 EUR |
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Technische Details BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS131H6327XTSA1 nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 14Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 36682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 76565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 9933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS131H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
N-Channel 240V 100mA - замена для PMBF107 SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |