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BSS131H6327XTSA1

BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies

bss131_v2.6g.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS131H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss131_v2.6g.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss131_v2.6g.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7A747833B910B&compId=BSS131H6327XTSA1.pdf?ci_sign=1a0db14b486c9c03a4ac7e87d14adcf0bc42587e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
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468+0.15 EUR
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703+0.1 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS131-DS-v02_06-en.pdf MOSFETs N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13855 Stücke:
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS17554-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss131_v2.6g.pdf Trans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS131H6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSS131_V2.5+G.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013104bf65993eeb N-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131
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