BSS131IXUSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS131IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 240V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSS131IXUSA1 nach Preis ab 0.067 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A T/R |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSS131IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109mA (Ta), 121mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 440mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 120 V |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Small-Signal Power-Transistor |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS131IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 121 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS131IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 240V 0.109A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |