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BSS138BWAHZGT106

BSS138BWAHZGT106 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BSS138BWAHZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor bss138bwahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor bss138bwahzgt106-e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Nch 60V 380mA, SOT-323, Small Signal MOSFET for Automotive
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS138BWAHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 380MA, SOT-323, SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : ROHM bss138bwahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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BSS138BWAHZGT106 BSS138BWAHZGT106 Hersteller : ROHM bss138bwahzgt106-e.pdf Description: ROHM - BSS138BWAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 0.49 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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