BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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| Anzahl | Preis |
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| 313+ | 0.23 EUR |
| 410+ | 0.17 EUR |
| 491+ | 0.15 EUR |
| 763+ | 0.094 EUR |
| 905+ | 0.079 EUR |
| 1244+ | 0.057 EUR |
| 1374+ | 0.052 EUR |
| 3000+ | 0.046 EUR |
| 6000+ | 0.044 EUR |
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Technische Details BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS138NH6327XTSA2 nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.4 EUR
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BSS138NH6327XTSA2 Produktcode: 160339
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 130713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 74350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 13744 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 13767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 202550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 74383 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 363134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 363134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-Ch 60V 0.23A Automotive |
auf Bestellung 287000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-Ch 60V 0.23A Automotive |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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