BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS138NH6433XTMA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.32 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 242797 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 7715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 130000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.92A Technology: SIPMOS® Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS138NH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.92A Technology: SIPMOS® |
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