BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 280mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS138WH6433XTMA1 nach Preis ab 0.059 EUR bis 0.53 EUR
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 60V 280mA SOT-323-3 |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS138WH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 mA, 2.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.12A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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BSS138WH6433XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Pulsed drain current: 1.12A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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