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BSS139H6327XTSA1

BSS139H6327XTSA1

Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
Produktcode: 185807
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 0,1 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 30 Ом
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
AnzahlPrivatkunde
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10+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
30+0.71 EUR
50+0.52 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
auf Bestellung 158792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.42 EUR
299+0.77 EUR
432+0.5 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
auf Bestellung 158792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
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BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
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BSS139H6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
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PTS810SJK250SMTR LFS
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ES1A
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
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MBR230LSFT1G
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
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217182-0001
Produktcode: 188053
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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ALT3232M-151-T001
Produktcode: 195315
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