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BSS139H6327XTSA1

BSS139H6327XTSA1

Infineon-BSS139-DS-v01_08-en.pdf
Produktcode: 185807
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 250 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 30 Ohm
JHGF: SMD
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.21 EUR
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 30Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: depletion
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173+0.41 EUR
237+0.3 EUR
368+0.19 EUR
428+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon info-tbss139.pdf N-MOSFET 250V 100mA 14Ω 360mW BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327 Infineon TBSS139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbss139dsen.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS139_DS_v01_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 250V 30mA SOT-23-3
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500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100µA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 178402 Stücke:
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BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSS139H6327XTSA1 Hersteller : Infineon INFNS19226-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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