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BSS159NH6327XTSA2

BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
250+0.29 EUR
417+0.17 EUR
443+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS159N_DS_v02_02_en-1731309.pdf MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
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10+0.49 EUR
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500+0.32 EUR
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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23+0.77 EUR
34+0.53 EUR
100+0.34 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 42185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.19 EUR
24000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036 Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
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BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss159n_rev2.2_.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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