
BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.19 EUR |
6000+ | 0.18 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS159NH6327XTSA2 nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.77 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 1451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 17412 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 42185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 42185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS159NH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
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