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BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Name: BSS159NH6327XTSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 5413660-3
Price: 570.00 EUR
Availability: InStock

Infineon-BSS159N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013108d8b2230036

Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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Technische Details BSS159NH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Beschreibung

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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183+	0.39 EUR
236+	0.3 EUR
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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 230mA SOT-23-3

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : INFINEON

INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : INFINEON

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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24000+	0.18 EUR

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8Ohm; 230mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS159NH6327; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6906XTSA1; BSS159N; BSS159NH6327XTSA2; BSS159NH6327XTSA2 TBSS159n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS159NH6327XTSA2

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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