BSS169 H6327 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 299+ | 0.6 EUR |
| 312+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1000+ | 0.5 EUR |
| 2500+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
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Technische Details BSS169 H6327 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.17A, Power dissipation: 0.36W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 2.1nC, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSS169 H6327 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSS169 H6327 | Infineon Technologies |
 MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS169 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Application: automotive industry |
auf Bestellung 5130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 219 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS169 H6327 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| BSS169 H6327 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Application: automotive industry
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)