BSS169H6327 HXY MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS169 E6327; BSS169 E6906; BSS169H6327XTSA1; BSS169H6906XTSA1; BSS169H6327 HXY MOSFET TBSS169 HXY
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| Anzahl | Preis |
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| 500+ | 0.074 EUR |
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Technische Details BSS169H6327 HXY MOSFET
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2.8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. , Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote BSS169H6327 nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS169 H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS169 H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 90mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 72097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS169H6327 | Hersteller : Infineon | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS169 H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 68 @ 25, Qg, нКл = 2.8 @ 7 В, Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,8 В @ 50 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |

