BSS192PH6327FTSA1
Produktcode: 173677
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote BSS192PH6327FTSA1 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Case: PG-SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -190mA Power dissipation: 1W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3 |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | Hersteller : Infineon |
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89 Група товару: Оптрони та твердотільні реле Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |