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BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

bss192p_rev1.7.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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2000+0.27 EUR
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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1000+0.24 EUR
2000+0.20 EUR
4000+0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 399
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.47 EUR
180+0.40 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
1000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
154+0.47 EUR
180+0.40 EUR
296+0.24 EUR
313+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en-1226547.pdf MOSFETs P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
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4+0.92 EUR
10+0.78 EUR
100+0.55 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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19+0.97 EUR
28+0.65 EUR
100+0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 19
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1338 Stücke:
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BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1338 Stücke:
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
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