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BSS209PWH6327XTSA1

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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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654+0.26 EUR
1004+0.17 EUR
1244+0.13 EUR
1475+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.082 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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1244+0.13 EUR
1475+0.1 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.074 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 140344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
569+0.44 EUR
918+0.25 EUR
1365+0.15 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 64683 Stücke:
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32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en.pdf MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
auf Bestellung 9271 Stücke:
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10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -630mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
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4+21.28 EUR
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 63000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
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15000+0.11 EUR
21000+0.11 EUR
30000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29260 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
654+0.26 EUR
1004+0.17 EUR
1244+0.13 EUR
1475+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.082 EUR
9000+0.069 EUR
15000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 29260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.26 EUR
1004+0.17 EUR
1244+0.13 EUR
1475+0.1 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.074 EUR
9000+0.061 EUR
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Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 140344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
569+0.44 EUR
918+0.25 EUR
1365+0.15 EUR
1527+0.14 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.55 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 140344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
569+0.44 EUR
918+0.25 EUR
1365+0.15 EUR
1527+0.14 EUR
5000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 569 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 64683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
auf Bestellung 9271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.83 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -630mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-SOT-323
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSS209PWH6327XTSA1 bss209pw_rev1.32_pdf.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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