BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
auf Bestellung 69000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.11 EUR |
| 6000+ | 0.099 EUR |
| 9000+ | 0.082 EUR |
| 30000+ | 0.08 EUR |
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Technische Details BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSS209PWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.073 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Case: PG-SOT-323 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2759 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Case: PG-SOT-323 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ P Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
auf Bestellung 2759 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V |
auf Bestellung 75747 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -20V -630mA SOT-323-3 |
auf Bestellung 51419 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 167315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS209PWH6327XTSA1 Produktcode: 185997 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS209PWH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
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