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BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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631+0.27 EUR
653+0.26 EUR
659+0.25 EUR
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
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579+0.3 EUR
624+0.27 EUR
631+0.26 EUR
653+0.24 EUR
659+0.23 EUR
672+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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18000+0.29 EUR
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
auf Bestellung 4419 Stücke:
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6+0.61 EUR
10+0.48 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon info-tbss225.pdf N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90mA
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.86 EUR
122+0.7 EUR
147+0.58 EUR
262+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1.43 EUR
234+1 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
175+1.43 EUR
234+1 EUR
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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AnzahlPrivatkunde
631+0.27 EUR
653+0.26 EUR
659+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 631 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.3 EUR
624+0.27 EUR
631+0.26 EUR
653+0.24 EUR
659+0.23 EUR
672+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
547+0.32 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.35 EUR
12000+0.31 EUR
18000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.43 EUR
2000+0.39 EUR
3000+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
auf Bestellung 4419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.61 EUR
10+0.48 EUR
100+0.42 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 90mA
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.86 EUR
122+0.7 EUR
147+0.58 EUR
262+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
175+1.43 EUR
234+1 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
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BSS225H6327FTSA1 INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS225H6327FTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 311 Stücke:
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BSS225H6327FTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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