Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS308PEH6327XTSA1
BSS308PEH6327XTSA1

BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm.

Weitere Produktangebote BSS308PEH6327XTSA1 nach Preis ab 0.094 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.42 EUR
675+0.25 EUR
787+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+0.42 EUR
675+0.25 EUR
787+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
15000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.58 EUR
219+0.39 EUR
315+0.27 EUR
368+0.23 EUR
451+0.19 EUR
521+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073 Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
55+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 173667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+1.11 EUR
430+0.54 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 173667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+1.11 EUR
430+0.54 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 135985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
413+0.42 EUR
675+0.25 EUR
787+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18038 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
413+0.42 EUR
675+0.25 EUR
787+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
15000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 15846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+0.58 EUR
219+0.39 EUR
315+0.27 EUR
368+0.23 EUR
451+0.19 EUR
521+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PE_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060131099c80400073
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.86 EUR
40+0.54 EUR
55+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 173667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+1.11 EUR
430+0.54 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 INFNS19405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS308PEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 173667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
227+1.11 EUR
430+0.54 EUR
637+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 135985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.2 EUR
10+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH