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BSS4130AHZGT116

BSS4130AHZGT116 ROHM

datasheet?p=BSS4130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+1.17 EUR
317+0.74 EUR
457+0.46 EUR
625+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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Technische Details BSS4130AHZGT116 ROHM

Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSS4130AHZGT116 nach Preis ab 0.31 EUR bis 2.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS4130AHZGT116 BSS4130AHZGT116 ROHM datasheet?p=BSS4130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 200mW
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS4130AHZGT116 BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS4130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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BSS4130AHZGT116 BSS4130AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS4130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS
auf Bestellung 17355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.46 EUR
100+0.93 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSS4130AHZGT116 datasheet?p=BSS4130AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSS4130AHZGT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS4130AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
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Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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Bipolar Transistors - BJT NCH 30V 1A AMP TRANS
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10+1.46 EUR
100+0.93 EUR
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