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BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.31 EUR
2000+0.25 EUR
7000+0.24 EUR
10000+0.23 EUR
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Technische Details BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5085 Stücke:
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409+0.36 EUR
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
107+0.67 EUR
157+0.46 EUR
191+0.37 EUR
319+0.22 EUR
338+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 107
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A820D4E7D1F10B&compId=BSS606NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=d3e7cbc8506ee2b389230eb6c41319a56a0d32e7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 945 Stücke:
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319+0.22 EUR
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
18+1.00 EUR
26+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 13147 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.04 EUR
10+0.70 EUR
100+0.47 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.26 EUR
10000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss606n_2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 29000 Stücke:
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
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Anzahl Preis
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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