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BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+0.31 EUR
2000+0.25 EUR
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Technische Details BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PG-SOT89, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote BSS606NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.22 EUR bis 1 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon info-tbss606n.pdf N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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100+0.55 EUR
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.82 EUR
157+0.46 EUR
215+0.33 EUR
243+0.29 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 10338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.98 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.24 EUR
5000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1 EUR
26+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: Infineon
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
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Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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