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BSS606NH6327XTSA1

BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss606n_2.2.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 5085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
409+0.43 EUR
410+0.42 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 409 Stücke
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Technische Details BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon info-tbss606n.pdf N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+0.98 EUR
143+0.6 EUR
196+0.44 EUR
223+0.38 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 10338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 Infineon Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120 MOSFET N-CH 60V 3.2A Транзистори
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT89
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.45 EUR
2000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 60V 3.2A 60mΩ 1W BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327 Infineon TBSS606n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
auf Bestellung 637 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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143+0.6 EUR
196+0.44 EUR
223+0.38 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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BSS606NH6327XTSA1 Infineon_BSS606N_DS_v02_02_en-1226504.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 3.2A SOT-89-3
auf Bestellung 10338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.17 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
2000+0.29 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 INFNS26386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS606NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.047 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 33274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
178+1.4 EUR
268+0.87 EUR
318+0.68 EUR
393+0.55 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+1.63 EUR
21+1.02 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS606NH6327XTSA1 Infineon-BSS606N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433dfcb54c013dfd4f43ed0120
BSS606NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
MOSFET N-CH 60V 3.2A Транзистори
auf Bestellung 4000 Stücke:
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