BSS63AHZGT116 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT BSS63AHZG is a SOT-23 package Transistor for high voltage amplifier. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
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Technische Details BSS63AHZGT116 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4021 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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BSS63AHZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
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