Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
24000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSS670S2LH6327XTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 252000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
6000+0.06 EUR
9000+0.05 EUR
15000+0.04 EUR
21000+0.04 EUR
30000+0.04 EUR
75000+0.04 EUR
150000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 11900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1504+0.10 EUR
2000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1504
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.10 EUR
6000+0.09 EUR
9000+0.07 EUR
30000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1309+0.11 EUR
1444+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 1309
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
363+0.20 EUR
506+0.14 EUR
587+0.12 EUR
1038+0.07 EUR
1097+0.07 EUR
1500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
228+0.31 EUR
363+0.20 EUR
506+0.14 EUR
587+0.12 EUR
1038+0.07 EUR
1097+0.07 EUR
1500+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 228
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
465+0.32 EUR
784+0.18 EUR
795+0.17 EUR
1309+0.10 EUR
1323+0.10 EUR
1444+0.08 EUR
1909+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 465
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 70837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
39+0.46 EUR
67+0.27 EUR
120+0.15 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en-1226301.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 41653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.54 EUR
10+0.29 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.09 EUR
9000+0.08 EUR
24000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.346 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 39569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 189000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH