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BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
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385+0.45 EUR
625+0.27 EUR
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Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26518 Stücke:
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374+0.67 EUR
582+0.4 EUR
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1435+0.15 EUR
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BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON INFNS15449-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.67 EUR
582+0.4 EUR
1059+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.095 EUR
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.095 EUR
15000+0.086 EUR
21000+0.079 EUR
30000+0.073 EUR
75000+0.062 EUR
150000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
21000+0.095 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1064+0.17 EUR
1076+0.15 EUR
1205+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+0.45 EUR
625+0.27 EUR
665+0.24 EUR
1064+0.14 EUR
1205+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
39+0.55 EUR
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 74584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.65 EUR
10+0.42 EUR
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500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
374+0.67 EUR
582+0.4 EUR
1059+0.2 EUR
1435+0.15 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 374 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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500+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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