
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3000+ | 0.08 EUR |
6000+ | 0.06 EUR |
9000+ | 0.05 EUR |
15000+ | 0.04 EUR |
21000+ | 0.04 EUR |
24000+ | 0.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS670S2LH6327XTSA1 nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.54 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 252000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 252000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 11900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.54A On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.54A On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 2032 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 70837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 41653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 15423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.346ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 39569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 189000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |