Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS670S2LH6327XTSA1
BSS670S2LH6327XTSA1

BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss670s2l_rev2.6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.074 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.056 EUR
15000+0.053 EUR
21000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSS670S2LH6327XTSA1 nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.48 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.072 EUR
21000+0.066 EUR
30000+0.061 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.084 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1064+0.14 EUR
1076+0.13 EUR
1205+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
auf Bestellung 6103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.3 EUR
332+0.22 EUR
486+0.15 EUR
573+0.12 EUR
807+0.089 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies bss670s2l_rev2.6.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.38 EUR
625+0.23 EUR
665+0.2 EUR
1064+0.12 EUR
1205+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 21820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
9000+0.08 EUR
15000+0.072 EUR
21000+0.066 EUR
30000+0.061 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 174000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.11 EUR
6000+0.095 EUR
9000+0.09 EUR
15000+0.084 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1064+0.14 EUR
1076+0.13 EUR
1205+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
auf Bestellung 6103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
239+0.3 EUR
332+0.22 EUR
486+0.15 EUR
573+0.12 EUR
807+0.089 EUR
1000+0.077 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 bss670s2l_rev2.6.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
385+0.38 EUR
625+0.23 EUR
665+0.2 EUR
1064+0.12 EUR
1205+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
39+0.46 EUR
63+0.28 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LH6327XTSA1 Infineon_BSS670S2L_DS_v02_06_en.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 21820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
6+0.48 EUR
10+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH