
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS806NEH6327XTSA1 nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9223 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V |
auf Bestellung 9223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 22459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 22459 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS806NEH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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