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BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
557+0.31 EUR
678+0.25 EUR
905+0.18 EUR
1004+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
557+0.31 EUR
678+0.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 557 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.49 EUR
243+0.35 EUR
363+0.24 EUR
433+0.2 EUR
624+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS806NE_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366 Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 93968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+1.09 EUR
439+0.52 EUR
582+0.37 EUR
782+0.27 EUR
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.38 EUR
437+0.54 EUR
521+0.42 EUR
646+0.33 EUR
1500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
557+0.31 EUR
678+0.25 EUR
905+0.18 EUR
1004+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 4482bss806ne_rev201.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
557+0.31 EUR
678+0.25 EUR
905+0.18 EUR
1004+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
173+0.49 EUR
243+0.35 EUR
363+0.24 EUR
433+0.2 EUR
624+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon-BSS806NE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340f610c201410d1548de3366
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 93968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.77 EUR
45+0.48 EUR
61+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
auf Bestellung 6793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
228+1.09 EUR
439+0.52 EUR
582+0.37 EUR
782+0.27 EUR
1500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS806NEH6327XTSA1 INFNS29209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS806NEH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
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