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BSS816NWH6327XTSA1

BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss816nw_rev2.3_.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Weitere Produktangebote BSS816NWH6327XTSA1 nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.88 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 453000 Stücke:
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon info-tbss816nw.pdf N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
682+0.25 EUR
836+0.2 EUR
1273+0.13 EUR
3000+0.095 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
522+0.33 EUR
682+0.24 EUR
836+0.19 EUR
1273+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+0.4 EUR
296+0.29 EUR
430+0.2 EUR
509+0.17 EUR
738+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS816NW_DS_v02_03_en.pdf MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
auf Bestellung 59800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
13+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332 Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 200332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
75+0.29 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 42669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
596+0.39 EUR
695+0.31 EUR
1062+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 42769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
284+0.88 EUR
596+0.39 EUR
695+0.31 EUR
1062+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 Infineon Technologies bss816nw_rev2.3_.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
9000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 453000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
9000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 453000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
9000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 20V 1.4A 160mΩ 500mW BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327 Infineon TBSS816nw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
300+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
682+0.25 EUR
836+0.2 EUR
1273+0.13 EUR
3000+0.095 EUR
9000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 682 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 14781 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
522+0.33 EUR
682+0.24 EUR
836+0.19 EUR
1273+0.12 EUR
3000+0.086 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 522 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.4 EUR
296+0.29 EUR
430+0.2 EUR
509+0.17 EUR
738+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 Infineon_BSS816NW_DS_v02_03_en.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
auf Bestellung 59800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.63 EUR
13+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS816NWH6327XTSA1 Infineon-BSS816NW-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e704a2e1332
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 200332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+0.65 EUR
54+0.39 EUR
75+0.29 EUR
100+0.25 EUR
500+0.18 EUR
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 42669 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.88 EUR
596+0.39 EUR
695+0.31 EUR
1062+0.2 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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596+0.39 EUR
695+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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BSS816NWH6327XTSA1 bss816nw_rev2.3_.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
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