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BSS83IXUSA1

BSS83IXUSA1 Infineon Technologies

infineonbss83idatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS83IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.04W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
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934+0.18 EUR
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss83idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.32A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2690 Stücke:
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565+0.3 EUR
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 Infineon Technologies 448_BSS83I.pdf Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
auf Bestellung 1087 Stücke:
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35+0.61 EUR
57+0.37 EUR
79+0.27 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 1969 Stücke:
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349+0.71 EUR
569+0.4 EUR
910+0.24 EUR
1226+0.18 EUR
1387+0.15 EUR
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BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1969 Stücke:
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500+0.71 EUR
569+0.4 EUR
910+0.24 EUR
1226+0.18 EUR
1387+0.15 EUR
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BSS83IXUSA1
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.11 EUR
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24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.092 EUR
24000+0.08 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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6000+0.11 EUR
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
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24000+0.086 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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934+0.18 EUR
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565+0.3 EUR
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MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
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AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
13+0.26 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
3000+0.15 EUR
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9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Description: BSS83IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), 550mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1.04W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.09 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 30 V
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79+0.27 EUR
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BSS83IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
349+0.71 EUR
569+0.4 EUR
910+0.24 EUR
1226+0.18 EUR
1387+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 349 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83IXUSA1 Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b
BSS83IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1969 Stücke:
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500+0.71 EUR
569+0.4 EUR
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1226+0.18 EUR
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