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BSS83P H6327

BSS83P H6327 Infineon Technologies

BSS83P_Rev1+6.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
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Technische Details BSS83P H6327 Infineon Technologies

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.33A, Case: SOT23, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Power: 0.36W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS83P H6327 Hersteller : Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
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BSS83P H6327 Hersteller : Infineon Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
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BSS83PH6327 BSS83PH6327 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -330mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
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