Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies


487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
4831+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4831 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSS83PH6327XTSA1 nach Preis ab 0.064 EUR bis 0.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1368000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon info-tbss83p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.35 EUR
661+0.22 EUR
886+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
232+0.31 EUR
341+0.21 EUR
402+0.18 EUR
574+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P_Rev1_6.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
auf Bestellung 120160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON 1835997.pdf Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1368000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.16 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
21000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 info-tbss83p.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
417+0.35 EUR
661+0.22 EUR
886+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.094 EUR
9000+0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 9925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
157+0.46 EUR
232+0.31 EUR
341+0.21 EUR
402+0.18 EUR
574+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.078 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 75128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
24+0.76 EUR
39+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.22 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P_Rev1_6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
auf Bestellung 120160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+0.95 EUR
10+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 1835997.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH