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BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies


487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon info-tbss83p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon info-tbss83p.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
398+0.43 EUR
549+0.31 EUR
644+0.26 EUR
936+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.7 EUR
398+0.42 EUR
549+0.29 EUR
644+0.24 EUR
936+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS83P%20H6327.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
63+0.33 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss83p_rev1_6.pdf MOSFETs P-Ch SOT-23-3
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON 1835997.pdf Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 160691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
468+0.5 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 160691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
468+0.5 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 Infineon Technologies 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+83.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 10708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 info-tbss83p.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 info-tbss83p.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; BSS83PH6327XTSA1 TBSS83p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
398+0.43 EUR
549+0.31 EUR
644+0.26 EUR
936+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
245+0.7 EUR
398+0.42 EUR
549+0.29 EUR
644+0.24 EUR
936+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 BSS83P%20H6327.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 330mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+0.75 EUR
45+0.46 EUR
63+0.33 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 bss83p_rev1_6.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch SOT-23-3
auf Bestellung 50586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.35 EUR
100+0.3 EUR
500+0.21 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 1835997.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 160691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+0.99 EUR
468+0.5 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 INFNS30555-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 330 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 160691 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+0.99 EUR
468+0.5 EUR
658+0.32 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS83PH6327XTSA1 487bss83p_rev16.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+83.57 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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