BSS84AHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: Trench
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -0.92A
Drain current: -230mA
On-state resistance: 6.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 2133 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 139+ | 0.51 EUR |
| 191+ | 0.37 EUR |
| 277+ | 0.26 EUR |
| 325+ | 0.22 EUR |
| 1087+ | 0.066 EUR |
| 1163+ | 0.061 EUR |
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Technische Details BSS84AHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS84AHZGT116 nach Preis ab 0.061 EUR bis 0.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: Trench Drain-source voltage: -60V Pulsed drain current: -0.92A Drain current: -230mA On-state resistance: 6.4Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84AHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
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