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BSS84AHZGT116

BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor


bss84ahzgt116-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SST T/R
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Technische Details BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SST T/R
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SST T/R
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SST T/R
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: -0.92A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
125+0.57 EUR
199+0.36 EUR
298+0.24 EUR
353+0.20 EUR
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1163+0.06 EUR
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Pulsed drain current: -0.92A
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Anzahl Preis
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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25+0.72 EUR
40+0.45 EUR
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500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
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10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.20 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : ROHM bss84ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10181 Stücke:
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Hersteller : ROHM bss84ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 10181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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