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BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
779+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 779 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor bss84ahzgt116-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 377 Stücke:
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358+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Pulsed drain current: -0.92A
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.6 EUR
172+0.5 EUR
244+0.35 EUR
295+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.33 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
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1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 ROHM bss84ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
203+1.15 EUR
303+0.71 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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BSS84AHZGT116 BSS84AHZGT116 ROHM bss84ahzgt116-e.pdf Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
203+1.15 EUR
303+0.71 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
779+0.23 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 779 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 377 Stücke:
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: SOT23
Pulsed drain current: -0.92A
Polarisation: unipolar
Technology: Trench
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+0.6 EUR
172+0.5 EUR
244+0.35 EUR
295+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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BSS84AHZGT116 datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
50+0.44 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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BSS84AHZGT116 datasheet?p=BSS84AHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.33 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
203+1.15 EUR
303+0.71 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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BSS84AHZGT116 bss84ahzgt116-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
203+1.15 EUR
303+0.71 EUR
500+0.44 EUR
1500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH