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Technische Details BSS84AKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSS84AKV,115 nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.6 EUR
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 68000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Pulsed drain current: -0.7A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84AKV,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs 50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS84AKV,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Pulsed drain current: -0.7A |
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