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BSS84IXUSA1

BSS84IXUSA1 Infineon Technologies

infineonbss84idatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS84IXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 960mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
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9000+0.062 EUR
24000+0.055 EUR
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BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies infineonbss84idatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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3000+0.09 EUR
6000+0.075 EUR
9000+0.064 EUR
24000+0.057 EUR
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BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies 448_BSS84I.pdf Description: BSS84IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
auf Bestellung 2183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
73+0.29 EUR
117+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 1395 Stücke:
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747+0.31 EUR
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BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS84I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627c006a513e Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1395 Stücke:
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500+0.56 EUR
747+0.31 EUR
1292+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS84IXUSA1 BSS84IXUSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS84I_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
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100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
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Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
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BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
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BSS84IXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
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auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.56 EUR
747+0.31 EUR
1292+0.17 EUR
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MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
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6+0.65 EUR
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100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
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