BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 960mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSS84IXUSA1 nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSS84IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84IXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: BSS84IXUSA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780 pC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V |
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