BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.058 EUR |
| 204000+ | 0.052 EUR |
| 306000+ | 0.048 EUR |
| 408000+ | 0.044 EUR |
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Technische Details BSS84IXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 290mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 960mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm.
Weitere Produktangebote BSS84IXUSA1 nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSS84IXUSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84IXUSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84IXUSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V |
auf Bestellung 42247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84IXUSA1 | Infineon Technologies |
Description: BSS84IXUSA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V |
auf Bestellung 2283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 960mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSS84IXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| 9000+ | 0.052 EUR |
| 24000+ | 0.045 EUR |
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 6000+ | 0.063 EUR |
| 9000+ | 0.054 EUR |
| 24000+ | 0.048 EUR |
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
MOSFETs Small Signal MOSFET, -60 V
auf Bestellung 42247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.38 EUR |
| 13+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.095 EUR |
| 3000+ | 0.092 EUR |
| 6000+ | 0.084 EUR |
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: BSS84IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
Description: BSS84IXUSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), 290mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 960mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-U03
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 0.44 EUR |
| 65+ | 0.27 EUR |
| 105+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290mA
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 960mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.5ohm
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSS84IXUSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - BSS84IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 290 mA, 5.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)