
BSS84LT1G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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30000+ | 0.05 EUR |
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Technische Details BSS84LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Möglichen Substitutionen BSS84LT1G ON Semiconductor
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Produktcode: 188580
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : JSCJ |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm /: SMD |
auf Bestellung 985 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote BSS84LT1G nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC |
auf Bestellung 4226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4226 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 5121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 7115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 11760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G (SOT-23, ON) Produktcode: 160080
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ON |
![]() Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 36/ |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 85843 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONS |
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auf Bestellung 7505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
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