BSS84LT1G (SOT-23, ON)
Produktcode: 160080
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Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 36/
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Möglichen Substitutionen BSS84LT1G (SOT-23, ON) ON
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Produktcode: 188580
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : JSCJ |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm /: SMD |
auf Bestellung 3059 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote BSS84LT1G (SOT-23, ON) nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 50V 130mA P-Channel |
auf Bestellung 147367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 31890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 31890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 1440 Stücke: |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSS84LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
MOSFET P-CH 50V 130mA SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC |
Produkt ist nicht verfügbar |