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BSS84LT1G

BSS84LT1G ON Semiconductor

bss84lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSS84LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ)
Produktcode: 188580
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Hersteller : JSCJ Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
/: SMD
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6000+0.073 EUR
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1265+0.11 EUR
1575+0.082 EUR
1588+0.078 EUR
1676+0.071 EUR
1849+0.061 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1020
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
736+0.097 EUR
824+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0474584F048F1A6F5005056AB5A8F&compId=BSS84LT1-D.pdf?ci_sign=745ad206972ef0844f90e852c06114644586bec5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.2nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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736+0.097 EUR
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1000+0.072 EUR
1500+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : onsemi bss84lt1-d.pdf MOSFETs 50V 130mA P-Channel
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18+0.17 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
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514+0.28 EUR
747+0.19 EUR
1017+0.13 EUR
1079+0.12 EUR
1213+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 514
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BSS84LT1G (SOT-23, ON) BSS84LT1G (SOT-23, ON)
Produktcode: 160080
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Hersteller : ON bss84lt1-d.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 50 V
Id,A: 0,13 A
Rds(on),Om: 4,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 36/
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 84723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 84723 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS84LT1G Hersteller : ONS bss84lt1-d.pdf Транзистор полевой SOT-23 P-MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V
auf Bestellung 7505 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.41 EUR
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : onsemi bss84lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
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BSS84LT1G BSS84LT1G Hersteller : onsemi bss84lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V
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