BSS84LT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 327000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3664+ | 0.039 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSS84LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Möglichen Substitutionen BSS84LT1G ON Semiconductor
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Produktcode: 188580
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : JSCJ |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm /: SMD |
auf Bestellung 665 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote BSS84LT1G nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 327000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
auf Bestellung 96000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4905 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 50V 130mA P-Channel |
auf Bestellung 86827 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
auf Bestellung 98035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 11760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 34575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 34575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
BSS84LT1G (SOT-23, ON) Produktcode: 160080
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : ON |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 36/ |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |