BSS84LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BSS84LT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V.
Möglichen Substitutionen BSS84LT1G ON Semiconductor
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Produktcode: 188580 |
Hersteller : JSCJ |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm /: SMD |
auf Bestellung 1730 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote BSS84LT1G nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 117000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 114000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 423000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 50V 130mA P-Channel |
auf Bestellung 146204 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
auf Bestellung 914 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 88219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
auf Bestellung 88219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | Hersteller : ONS |
Транзистор полевой SOT-23 P-MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V |
auf Bestellung 7635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84LT1G (SOT-23, ON) Produktcode: 160080 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 36/ |
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BSS84LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSS84LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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