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BSS84PH6327XTSA2

BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

bss84p_rev2.6_.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 480000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.071 EUR
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Technische Details BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

Weitere Produktangebote BSS84PH6327XTSA2 nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.096 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon info-tbss84pw.pdf P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon info-tbss84pw.pdf P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4301 Stücke:
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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980+0.18 EUR
989+0.17 EUR
1343+0.12 EUR
1450+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.065 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+0.27 EUR
814+0.2 EUR
988+0.17 EUR
1507+0.1 EUR
3000+0.068 EUR
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Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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616+0.27 EUR
814+0.21 EUR
988+0.17 EUR
1507+0.11 EUR
3000+0.073 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Gate charge: 0.37nC
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of package: reel
auf Bestellung 12937 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+0.35 EUR
355+0.24 EUR
527+0.17 EUR
623+0.13 EUR
889+0.096 EUR
1025+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8137 Stücke:
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388+0.44 EUR
615+0.27 EUR
782+0.2 EUR
980+0.15 EUR
1343+0.1 EUR
1450+0.093 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234493 Stücke:
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38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
87+0.24 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234000 Stücke:
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 18000 Stücke:
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P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 4301 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
980+0.18 EUR
989+0.17 EUR
1343+0.12 EUR
1450+0.11 EUR
3000+0.088 EUR
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Mindestbestellmenge: 980 Stücke
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auf Bestellung 69558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
616+0.27 EUR
814+0.2 EUR
988+0.17 EUR
1507+0.1 EUR
3000+0.068 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 69558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
616+0.27 EUR
814+0.21 EUR
988+0.17 EUR
1507+0.11 EUR
3000+0.073 EUR
9000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT23
Gate charge: 0.37nC
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of package: reel
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AnzahlPrivatkunde
250+0.35 EUR
355+0.24 EUR
527+0.17 EUR
623+0.13 EUR
889+0.096 EUR
1025+0.083 EUR
3000+0.069 EUR
6000+0.062 EUR
9000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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auf Bestellung 8137 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
388+0.44 EUR
615+0.27 EUR
782+0.2 EUR
980+0.15 EUR
1343+0.1 EUR
1450+0.093 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 234493 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
87+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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