BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSS84PH6327XTSA2 nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.37 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||||
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 148000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC |
auf Bestellung 1045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 17662 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 |
auf Bestellung 58933 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 148675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1004968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1004968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1142400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 13301 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Hersteller : Infineon |
P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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