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BSS84PH6327XTSA2

BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 507000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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9000+0.1 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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980+0.18 EUR
1343+0.13 EUR
1450+0.12 EUR
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6000+0.068 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6500 Stücke:
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388+0.46 EUR
615+0.27 EUR
782+0.21 EUR
980+0.17 EUR
989+0.15 EUR
1343+0.11 EUR
1450+0.096 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 66558 Stücke:
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371+0.48 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 66558 Stücke:
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371+0.48 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineon_bss84p_datasheet_en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
13+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 508118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 378007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
667+0.35 EUR
782+0.27 EUR
1346+0.15 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 378007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
291+0.86 EUR
667+0.35 EUR
782+0.27 EUR
1346+0.15 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+43.96 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 1327 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 477000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 507000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
980+0.18 EUR
1343+0.13 EUR
1450+0.12 EUR
3000+0.092 EUR
6000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 980 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
388+0.46 EUR
615+0.27 EUR
782+0.21 EUR
980+0.17 EUR
989+0.15 EUR
1343+0.11 EUR
1450+0.096 EUR
3000+0.077 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 388 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 infineonbss84pdatasheeten.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 66558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
371+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
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BSS84PH6327XTSA2 infineonbss84pdatasheeten.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 66558 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
371+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 infineon_bss84p_datasheet_en.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
auf Bestellung 49767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.56 EUR
13+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 508118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
85+0.25 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 378007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
667+0.35 EUR
782+0.27 EUR
1346+0.15 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS84PH6327XTSA2 INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 378007 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
291+0.86 EUR
667+0.35 EUR
782+0.27 EUR
1346+0.15 EUR
9000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 291 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+43.96 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSS84PH6327XTSA2
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -140mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
auf Bestellung 1327 Stücke:
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