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BSS84PH6327XTSA2

BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

bss84p_rev2.6_.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84PH6327XTSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SIPMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
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228+0.31 EUR
293+ 0.24 EUR
432+ 0.17 EUR
688+ 0.1 EUR
774+ 0.092 EUR
1498+ 0.048 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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293+ 0.24 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.37nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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293+ 0.24 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSS84P_DS_v02_07_en-1226467.pdf MOSFET P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
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110+ 0.47 EUR
220+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1132374 Stücke:
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1132374 Stücke:
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
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BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.15 EUR
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BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Транзистор польовий P Channel, 60 V, 170 mA, 8 Ohm, SOT-23, Surface Mount
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.17 EUR
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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