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BSS84PH6433XTMA1

BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss84p_rev2.6_.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSS84P_Rev2.7[1]-253492.pdf MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies bss84p_rev2.6_.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013118ac7a9b4549 Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V
Grade: Automotive
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