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BSS84PH6433XTMA1

BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies infineonbss84pdatasheeten.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 INFINEON INFNS17565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
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BSS84PH6433XTMA1 BSS84PH6433XTMA1 Infineon Technologies Infineon-BSS84P-DS-v02_07-en.pdf MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3
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Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Kanaltyp: p-Kanal
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