
BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: P, Case: SOT23, Technology: SIPMOS™, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.17A, Gate charge: 1nC, Power dissipation: 0.36W, Gate-source voltage: 20V, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSS84PH7894XTMA1 nach Preis ab 0.045 EUR bis 0.048 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: P Case: SOT23 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Gate charge: 1nC Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: 20V Application: automotive industry |
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