BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.17A, Power dissipation: 0.36W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 1nC, Application: automotive industry, Technology: SIPMOS™.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 1nC Application: automotive industry Technology: SIPMOS™ |
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