BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSS84PH7894XTMA1 Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: P, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.17A, Power dissipation: 0.36W, Case: SOT23, Gate-source voltage: 20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Technology: SIPMOS™, Gate charge: 1nC, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote BSS84PH7894XTMA1 nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.057 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; P; 60V; 170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: P Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 1nC Application: automotive industry |
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BSS84PH7894XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
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