BSS84WT106 Rohm Semiconductor
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Technische Details BSS84WT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: -60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote BSS84WT106 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Pch -60V -0.23A Small Signal MOSFET |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V |
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, -60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: -60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V |
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