BSS84WT106 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 32+ | 0.56 EUR |
| 49+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
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Technische Details BSS84WT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSS84WT106 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84WT106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 684 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSS84WT106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V |
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