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BSS84XHZGG2CR

BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor


datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: DFN1010-3W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
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BSS84XHZGG2CR Hersteller : Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
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BSS84XHZGG2CR Hersteller : Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
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