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BSS84XHZGG2CR

BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

bss84xhzgg2cr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 6775 Stücke:
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Technische Details BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
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10+0.74 EUR
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500+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.35 EUR
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 6955 Stücke:
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130+1.94 EUR
207+1.12 EUR
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
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BSS84XHZGG2CR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6775 Stücke:
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283+0.35 EUR
309+0.27 EUR
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4000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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500+0.43 EUR
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1000+0.33 EUR
2000+0.26 EUR
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MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
auf Bestellung 16 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3+1.62 EUR
10+0.74 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.35 EUR
8000+0.31 EUR
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Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
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21+1.04 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
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500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
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130+1.94 EUR
207+1.12 EUR
319+0.68 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.39 EUR
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.23A
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
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Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH