BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 432+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 2500+ | 0.36 EUR |
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Technische Details BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.
Weitere Produktangebote BSS84XHZGG2CR nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSS84XHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm |
auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSS84XHZGG2CR | ROHM |
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm |
auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84XHZGG2CR | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -230mA Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 280 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSS84XHZGG2CR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 117+ | 1.52 EUR |
| BSS84XHZGG2CR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.68 EUR |
| 20+ | 1.05 EUR |
| 50+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| BSS84XHZGG2CR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 319+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BSS84XHZGG2CR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 130+ | 1.94 EUR |
| 272+ | 0.86 EUR |
| 319+ | 0.68 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| BSS84XHZGG2CR |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -230mA; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -230mA
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)