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BSS84XHZGG2CR

BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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Technische Details BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1010, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 7375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.4 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.84 EUR
303+0.57 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.35 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor bss84xhzgg2cr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.84 EUR
303+0.56 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
auf Bestellung 15761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
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5000+0.35 EUR
8000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR ROHM bss84xhzgg2cr-e.pdf Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.64 EUR
244+0.95 EUR
375+0.57 EUR
500+0.44 EUR
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5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm
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BSS84XHZGG2CR BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor datasheet?p=BSS84XHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: DFN1010-3W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11572 Stücke:
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13+1.65 EUR
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500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.42 EUR
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Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R
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MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
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BSS84XHZGG2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN1010
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Produktpalette: -
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BSS84XHZGG2CR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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152+1.64 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V
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Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
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