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BST47T1P4K01-VC ROHM


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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
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Technische Details BST47T1P4K01-VC ROHM

Description: ROHM - BST47T1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.037 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.