BST70B2P4K01-VC ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 171.28 EUR |
| 10+ | 142.47 EUR |
| 120+ | 129.75 EUR |
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Technische Details BST70B2P4K01-VC ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BST70B2P4K01-VC | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIPtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |