BST70B2P4K01-VC ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 203.82 EUR |
| 10+ | 169.54 EUR |
| 120+ | 154.4 EUR |
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Technische Details BST70B2P4K01-VC ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote BST70B2P4K01-VC nach Preis ab 217.27 EUR bis 248.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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BST70B2P4K01-VC | ROHM |
 Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST70B2P4K01-VC |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: ROHM - BST70B2P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, HSDIP
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 2+ | 248.88 EUR |
| 5+ | 217.27 EUR |