BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: HSDIP20, 750V, 90A, FULL-BRIDGE,
Packaging: Box
Package / Case: 20-PowerDIP Module (1.508", 38.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580pF @ 500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 91A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: 20-HSDIP
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Technische Details BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BST91B1P4K01-VC nach Preis ab 126.67 EUR bis 167.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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BST91B1P4K01-VC | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST91B1P4K01-VC | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |