BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: HSDIP20, 750V, 90A, FULL-BRIDGE,
Packaging: Box
Package / Case: 20-PowerDIP Module (1.508", 38.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 385W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4580pF @ 500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 91A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 30.8mA
Supplier Device Package: 20-HSDIP
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Technische Details BST91B1P4K01-VC Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSDIP, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Weitere Produktangebote BST91B1P4K01-VC nach Preis ab 150.74 EUR bis 242.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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BST91B1P4K01-VC | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BST91B1P4K01-VC | ROHM |
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 385W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSDIP Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BST91B1P4K01-VC |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
MOSFET Modules 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 198.97 EUR |
| 10+ | 165.52 EUR |
| 120+ | 150.74 EUR |
| BST91B1P4K01-VC |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ROHM - BST91B1P4K01-VC - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 90 A, 750 V, 0.019 ohm, HSDIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSDIP
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 242.93 EUR |
| 5+ | 212.09 EUR |