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BSV236SPH6327XTSA1

BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
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Technische Details BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.175 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 560mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm.

Weitere Produktangebote BSV236SPH6327XTSA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
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BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON 1849737.html Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.175 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSV236SPH6327XTSA1 BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON 1849737.html Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.175 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSV236SPH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 15 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 8µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.5A, 4.5V
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FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
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BSV236SPH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 150 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSV236SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.175 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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