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BSV52LT1G

BSV52LT1G ON Semiconductor

bsv52lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BSV52LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 225 mW.

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BSV52LT1G BSV52LT1G Hersteller : onsemi bsv52lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
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BSV52LT1G BSV52LT1G Hersteller : ONSEMI BSV52LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSV52LT1G BSV52LT1G Hersteller : ONSEMI BSV52LT1G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 40...120
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
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BSV52LT1G BSV52LT1G Hersteller : onsemi bsv52lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 225 mW
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BSV52LT1G BSV52LT1G Hersteller : onsemi BSV52LT1_D-2310282.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN
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