BSV52LT1G ON Semiconductor
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Technische Details BSV52LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote BSV52LT1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSV52LT1G | onsemi |
 Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3 |
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BSV52LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN |
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| BSV52LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
Description: TRANS NPN 12V 0.1A SOT23-3
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| BSV52LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN
Bipolar Transistors - BJT 100mA 12V Switching NPN
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