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BSZ019N03LSATMA1

BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies


BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
auf Bestellung 25000 Stücke:

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Technische Details BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON-FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ019N03LS_DataSheet_v02_04_EN-3361155.pdf MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e Description: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
auf Bestellung 32745 Stücke:
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 69W
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Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16533-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ019N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 149 A, 0.0019 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz019n03ls5g_rev0.1.pdffolderiddb3a304326dfb1300126fb3bec803f1afileiddb3a304326dfb1300126fb7dd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsz019n03ls5g_rev0.1.pdffolderiddb3a304326dfb1300126fb3bec803f1afileiddb3a304326dfb1300126fb7dd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R
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