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BSZ028N04LSATMA1

BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
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Technische Details BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote BSZ028N04LSATMA1 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
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112+1.33 EUR
118+1.21 EUR
139+0.99 EUR
200+0.93 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.85 EUR
5000+0.77 EUR
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ028N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360856.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+1.87 EUR
10+1.31 EUR
25+1.24 EUR
100+0.99 EUR
250+0.97 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ028N04LS-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304342371bb001424bb10c8b6fff Description: MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
auf Bestellung 7414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.43 EUR
12+1.53 EUR
100+1.02 EUR
500+0.80 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON 2882441.pdf Description: INFINEON - BSZ028N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4095 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz028n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DF8A4764E611C&compId=BSZ028N04LS-DTE.pdf?ci_sign=b47980fc1bac52431ab9bce3c8240b67030a1471 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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