Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ034N04LSATMA1
BSZ034N04LSATMA1

BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BSZ034N04LSATMA1 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.76 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.55 EUR
10000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 6490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
713+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
713+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
713+0.78 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 713
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 7419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
164+0.90 EUR
213+0.67 EUR
228+0.60 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 164
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.95 EUR
165+0.87 EUR
213+0.65 EUR
250+0.61 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 157
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsz034n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 4407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
97+1.53 EUR
157+0.91 EUR
165+0.84 EUR
213+0.62 EUR
250+0.59 EUR
500+0.50 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 33510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
18+1.02 EUR
100+0.77 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 6357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.76 EUR
10+1.10 EUR
25+1.07 EUR
100+0.83 EUR
250+0.82 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002262848-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DFBAB1A7CC11C&compId=BSZ034N04LS-DTE.pdf?ci_sign=f949cc7fd22e98717d29d2031c01c57f8fe57307 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH