
BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5000+ | 0.51 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BSZ034N04LSATMA1 nach Preis ab 0.40 EUR bis 1.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 7419 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 33510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 6357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4654 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ |
Produkt ist nicht verfügbar |