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BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

fundamentals-of-power-semiconductors
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
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5000+0.58 EUR
10000+0.55 EUR
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Technische Details BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ036NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3361112.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 12437 Stücke:
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4+1.01 EUR
10+0.99 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
274+0.84 EUR
341+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9632 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
274+0.84 EUR
341+0.63 EUR
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1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
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BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 31265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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