BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSZ040N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSZ040N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.46 EUR
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ040N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0033 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 20302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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BSZ040N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
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