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BSZ042N06NSATMA1

BSZ042N06NSATMA1 INFINEON

BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 132593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
145+1.61 EUR
250+1.36 EUR
1000+1.15 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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Technische Details BSZ042N06NSATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 INFINEON 2073519.pdf Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 133728 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.09 EUR
144+1.62 EUR
250+1.37 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 6405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
82+2.06 EUR
86+1.89 EUR
116+1.34 EUR
250+1.18 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.81 EUR
6000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4138 Stücke:
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5+4.52 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R
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74+2.37 EUR
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