BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details BSZ042N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSZ042N06NSATMA1 nach Preis ab 1 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 7703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8 |
auf Bestellung 45159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0034 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 103330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSZ042N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors |
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