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BSZ0503NSIATMA1

BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
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Technische Details BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 36W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 36W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsz0503nsi-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
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BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0503NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3c2d37301ce7 Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
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13+1.7 EUR
50+1.27 EUR
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BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 Infineon Technologies infineon_bsz0503nsi_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
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10+1.27 EUR
100+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.8 EUR
5000+0.68 EUR
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BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
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140+1.67 EUR
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BSZ0503NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
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100+3.82 EUR
140+1.67 EUR
157+1.37 EUR
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+2.12 EUR
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500+0.71 EUR
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188+0.87 EUR
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Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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2500+0.8 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSZ0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0503NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
140+1.67 EUR
157+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSZ0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ0503NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.82 EUR
140+1.67 EUR
157+1.37 EUR
500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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